MOS 전계效果 트랜지스터
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작성일 22-12-28 07:10
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MOS 전계效果 트랜지스터
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3. 증가형과 공핍형
게이트 전압을 인가해서 채널이 형성된 MOS transistor(트랜지스터) 를 증가형(enhancement type)이라 한다.
MOS 전계효과 트랜지스터에 대해 조사한 자료입니다.
4. 단채널 효과(效果)
채널 길이가 짧게 되면 다음과 같은 Cause 때문에 동작 특성(特性)에서 멀어진 특성(特性)이 나타난다.
채널길이가 감소해 소스 및 드레인 접합의 공핍층의 넓이가 채널길이가 같은 정도로 된다된다. 이것에 관련되어 절연물-반도체의 경계에 있는 계면 상태 등에 의해서 반도체 표면의 에너지대가 만곡되어 게이트 전압을 인가하지 않아도 반전이 일어나 채널이 형성되어 있는 경우가 있따 이것을 공핍형(depletion type)이라 한다.
n채널 MOS transistor(트랜지스터) 의 증가형과 공핍형의 ID-VG 특성(特性)과 함께 ID-VD 특성(特性)을 그림에 나타낸다. 이 경우 채널 내의 전위 분포는 게이트 전압에 의한 가로 방향 전계 및 드레인 전압에 의한 세로 방향 전계에 …(To be continued )
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다. p채널의 경우는 그림의 VG의 극성을 바꾸면 된다된다.
